SKQ55P02AD دیتاشیت

SKQ55P02AD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SKQ55P02AD
حجم فایل 60.864 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت SKQ55P02AD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shikues SKQ55P02AD
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 38W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3150pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 555pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.3mΩ@4.5V,15A
  • Package: DFN-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Shikues

محصولات مشابه